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【文章分享】轉貼~諾發長效型磁控濺鍍氮化鉭阻擋層技術提供3X/2X奈米記憶體導入銅金屬化製程
諾發長效型磁控濺鍍氮化鉭阻擋層技術提供3X/2X奈米記憶體導入銅金屬化製程
更新日期:
2009/06/09 15:03
(中央社訊息服務20090609 15:03:05)在銅金屬化製程導入邏輯元件生產十年以後,物理氣相沉積 (PVD)銅阻擋層-種晶層和電化學電鍍 (ECD) 製程現今已經可以應用在動態隨機存取記憶體 (DRAM)及快閃記憶體 (Flash) 的製程上了。對記憶體而言,鋁金屬化製程轉換到銅連線製程的主要驅使原因在於元件微縮的技術挑戰以及製程成本降低的需求。
- Jun 14 Sun 2009 00:20
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蘋果動作頻頻 發表數款升級版筆電
更新日期:
2009/06/09 20:24
(路透舊金山8日電)蘋果公司今天在一場萬眾矚目的年度發表會上,低調展示新款價格較為便宜且擁有升級軟體的筆記型電腦。
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